袁凤池, 谢义元, 陈继平, 程彬吉, 杨国文, 崔炳
矿冶工程. 1995, 15(3): 61-64.
本文采用MOCVD技术,以Y(TMHD)3,Ba(TMHD)2和Cu(TMHD)2为挥发源,高纯Ar和O2分别为载流气体和反应剂,金属Ag带为基体,在沉积温度为850℃,沉积过程中系统总压低于1.33 kPa的条件下,研究了4种情况的YBCO生长特点; 4种沉积方式所制样品成分的均匀性、沿C-轴取向情况以及表面形貌均存在较大的差别。4种沉积方式所制样品获得的最高Jc(78 K,0 T)值分别为1.04×104,2.2×104,1.7×104和1.4×104 A/cm2。本文还对产生上述结果的原因进行了分析,对有关的工艺问题进行了讨论。