多热源合成碳化硅温度场的均匀性研究

doi:10.3969/j.issn.0253-6099.2013.06.026

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矿冶工程 ›› 2013, Vol. 33 ›› Issue (6) : 97-100. DOI: 10.3969/j.issn.0253-6099.2013.06.026

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多热源合成碳化硅温度场的均匀性研究

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Uniformity of Temperature Field in Multi-heat-source Synthesis of Silicon Carbide

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收稿日期	出版日期
2013-06-22	2013-12-25
发布日期
2013-12-25

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